高压下 Ta$_2$O$_5$ 可能的正交相位

Yan Gong; HuiMin Tang; Yong Yang; Yoshiyuki Kawazoe

高压下 Ta$_2$O$_5$ 可能的正交相位

材料科学 2025-07-22 v1

作者: Yan Gong , HuiMin Tang , Yong Yang , Yoshiyuki Kawazoe

摘要

通过密度泛函理论（DFT）计算结合结构搜索算法，预测了 Ta $_2$ O $_5$ 在高压条件下的一个潜在正交相，称为 Y-Ta $_2$ O $_5$ 。该相的单位胞中包含四个配式单元（ $Z = 4$ ），具有已知最高的 Ta-O 配位数。Y-Ta $_2$ O $_5$ 在约 70 GPa 至至少 200 GPa 的压力范围内为 Ta $_2$ O $_5$ 最具能量优势的形态。标准 DFT-GGA 和更高精度的 GW 计算均表明，Y-Ta $_2$ O $_5$ 是一种宽带隙半导体，具有直接带隙。此外，核量子效应（NQEs）对固定体积下的外部压力引入非平凡的修正，凸显了其在高压相稳定性分析中的重要性。

关键词

Ta$_2$O$_5$ 高压密度泛函理论正交相位带隙

引用

@article{arxiv.2507.14514,
  title  = {Possible Orthorhombic Phase of Ta$_2$O$_5$ under High Pressures},
  author = {Yan Gong and HuiMin Tang and Yong Yang and Yoshiyuki Kawazoe},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2507.14514},
  year   = {2025}
}

备注

30 Pages, 4 Figures, 2 Tables

高压下 Ta$_2$O$_5$ 可能的正交相位

摘要

关键词

引用

备注

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