Zn 中缺陷的正电子寿命计算
材料科学
2024-02-08 v1
摘要
研究了空位团簇和间隙型位错环处的晶格弛豫对 Zn 中正电子寿命的影响。通过使用 Zn 的多体势，生成了用于寿命计算的有缺陷的弛豫结构。从结果可以推断，原子弛豫的影响主要对小空位团簇显著。与间隙型环相关的寿命对环结构及其周围环境非常敏感。将先前的实验结果与理论计算进行了比较。
引用
@article{arxiv.2402.04693,
title = {Positron lifetime calculations for defects in Zn},
author = {J. M. Campillo and F. Plazaola and N. de Diego},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.04693},
year = {2024}
}
备注
9 pages, 4 figures, 2 tables