固体中空位俘获正电子态的能量学

我们报告了对金属和半导体中空位缺陷俘获正电子的计算第一性原理研究。重点在于俘获过程的能量学，包括正电子态与缺陷离子结构之间的相互作用，以及俘获态随之产生的湮没特性。对于共价半导体中的空位，离子弛豫是正电子俘获过程的关键部分，使得正电子态能够局域化。然而，正电子俘获并不强烈影响电子结构的特征性质，例如电离能级仅发生适度变化。同样，在金属空位的情况下，正电子诱导的离子弛豫对计算的正电子寿命和湮没电子-正电子对的动量分布也有显著影响。