磁性形状记忆 MnAs 的多晶型纳米线
介观与纳米尺度物理
2010-10-07 v1
摘要
对于纳米结构材料，应变在稳定特定晶体相、修饰电子性质以及随之影响其磁性（若适用）方面具有根本重要性。在此，我们描述了一种磁性形状记忆合金，其中纳米结构约束应变影响了所得纳米线的晶相及其电子和磁性。我们利用对形状记忆 MnAs 纳米结构的第一性原理计算，研究了源于表面的应变对晶相的影响。我们表明，小至两纳米的 MnAs 纳米线能够稳定在一种不同于体相六方相且由一维性诱导的新晶相中。通过利用应变实现结构之间的转变需要孪晶畴的存在。我们的分析表明，此处以 MnAs 化合物证明的应变诱导结构相变，可以扩展到其他（磁性）形状记忆纳米线系统，用于从机械到磁电子器件的应用。
引用
@article{arxiv.1010.1110,
title = {Polymorphic nanowires of magnetic shape memory MnAs},
author = {C. Echeverría-Arrondo and J. Pérez-Conde and A. Ayuela},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.1110},
year = {2010}
}