铁电薄膜中的极化子弛豫
材料科学
2012-01-11 v1
摘要
我们报道了ABO3族铁电薄膜中的介电弛豫现象。我们比较了不同组分、采用多种生长方式（溅射（含磁控与非磁控）和溶胶-凝胶）制备的薄膜。该弛豫在低温（T<100K）、频率从100Hz到10MHz范围内被观测到。其弛豫激活能始终低于200meV，与我们在母体块材钙钛矿中报道的极化子弛豫非常相似。由于该弛豫与材料尺寸、形貌和织构无关，因此可作为实际集成电容器中缺陷的有效探测手段，无需特殊成型。
引用
@article{arxiv.1201.2061,
title = {Polaron relaxation in ferroelectric thin films},
author = {E. Arveux and D. Levasseur and A. Rousseau and S. Payan and M. Maglione and G. Guegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.2061},
year = {2012}
}