基于囚禁离子或电路 QED 的极化激元莫特绝缘体
强关联电子
2012-01-10 v2 量子物理
摘要
我们考虑了晶格极化激元的 Jaynes-Cummings-Hubbard 模型变体，将一维和二维中的次近邻、对角和长程光子跃迁纳入考虑。这些模型与基于囚禁离子或微波带状线谐振器的极化激元莫特绝缘体的潜在实验实现相关。我们获得了莫特-超流相边界，并使用数值和解析方法计算了莫特相中的激发谱。与仅包含最近邻跃迁的原始模型相比，包含额外的跃迁项在囚禁离子情况下导致更大的莫特相，而在带状线谐振器情况下导致更小的莫特相。在一维情况下，相变的临界跃迁改变了高达约 50%，而在二维情况下改变了高达约 20%。相比之下，激发谱基本不受影响。
引用
@article{arxiv.1108.5035,
title = {Polariton Mott insulator with trapped ions or circuit QED},
author = {M. Hohenadler and M. Aichhorn and L. Pollet and S. Schmidt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.5035},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 5 figures