量子霍尔效应中扩展杂质的泊松隧穿
介观与纳米尺度物理
2010-11-18 v1
摘要
我们考虑量子霍尔效应中边缘态之间泊松区域内的输运。假设背散射势是任意的，因为它允许存在多条隧穿路径。我们表明，背散射电流与噪声之间的肖特基关系可以完全普遍地建立：在整数（分数量子）霍尔效应中，Fano因子对应于电子电荷（准粒子电荷），这与纯局域隧穿的情况一样。我们推导了背散射电流的解析表达式，该表达式可以写成局域隧穿电流的形式，但带有一个依赖于偏压的重整化隧穿幅度。我们将结果应用于可分离的隧穿幅度，该幅度可以表示整数或分数量子霍尔效应中的扩展点接触。我们表明，扩展量子点接触的微分电导因隧穿路径之间的干涉而受到抑制，并且它相对于偏压具有反常依赖性。
引用
@article{arxiv.1007.4533,
title = {Poissonian tunneling through an extended impurity in the quantum Hall effect},
author = {Denis Chevallier and Jérôme Rech and Thibaut Jonckheere and Claire Wahl and Thierry Martin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.4533},
year = {2010}
}