整数量子霍尔态边缘通道中的分数化噪声
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v2
摘要
本文对填充因子 的整数量子霍尔态中两个相互作用边缘通道内由电荷分数化引起的电流噪声进行了理论计算。由于通道间的电容耦合，一个电子从偏置源极隧穿至其中一个通道的事件，会在另一边缘通道上激发携带分数电荷的传播等离子体模式。当这些激发到达量子点接触时，会在无净平均电流的情况下诱导低频电流涨落。在弱隧穿区域的微扰处理给出了噪声作为源极偏压函数的解析积分表达式，并得到了高偏压与低偏压极限下噪声的渐近表达式。
引用
@article{arxiv.1109.1002,
title = {Fractionalization noise in edge channels of integer quantum Hall states},
author = {Izhar Neder},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.1002},
year = {2015}
}