磁场下 MgB2 单晶的点接触谱研究

我们报道了利用改进的点接触技术对先进 MgB2 单晶进行光谱学研究的成果。单晶的使用使我们能够获得电流注入方向平行或垂直于 ab 平面的点接触。我们在此全面研究了高达 9 T 的磁场对这些接触电导谱的影响，涵盖了磁场 B 平行和垂直于 ab 平面的两种情况。首次完整确定了“pi”带上临界磁场的热演化，并获得了关于“sigma”带上临界场及其各向异性的定量信息。最后，通过利用平行于 ab 平面施加的磁场对两个能带系统的不同影响，分别获得了“sigma”带和“pi”带对总电导的部分贡献。用标准 BTK 模型对它们分别进行拟合，极大地降低了 $\Delta_{\sigma}$ 和 $\Delta_{\pi}$ 的不确定性，并以最高精度获得了它们完整的温度依赖关系。