单量子点中的压电激子-声学声子耦合
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
对单个 InAs/AlAs 自组装量子点进行了变温、变激发强度和变激发能量的微区光致发光光谱测量。激子发射线（零声子线，ZPL）由于形变势机制下的激子-声学声子耦合而展现出宽边带。此外，位于 ZPL 约 0.25 meV 处的窄低能边带被归因于激子-声学声子压电耦合。在降低激发能量或激发强度时，这些边带逐渐主导量子点的发射光谱，而 ZPL 则消失。在高激发强度下，由于光生自由载流子对压电耦合的屏蔽效应，压电耦合导致的边带急剧减弱，ZPL 主导光谱。
引用
@article{arxiv.0810.2415,
title = {Piezoelectric exciton-acoustic phonon coupling in single quantum dots},
author = {D. Sarkar and H. P. van der Meulen and J. M. Calleja and J. M. Meyer and R. J. Haug and K. Pierz},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2415},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures