人工材料中的π-磁通、半金属与平带
介观与纳米尺度物理
2019-12-04 v1
摘要
由于大量的理论研究，构建在跳跃 plaquette 内实现规范磁通且实验上可行的系统这一可能性已被探寻数十年。这对于拓扑能带绝缘体尤为有趣，已知此类磁通束缚受保护的中隙态。这些模式可在扩展磁通晶格中杂化，产生高度可调的半金属能带。我们证明在人工材料中，局域 -磁通可自然实现。据此，我们提供具体的装置以触及该物理，并分析类似的自组织能带结构与物理性质。因此，我们的工作不仅精确指出了展现平带的简单系统，也开辟了在崭新场景中研究磁通晶格模型及相关有效理论的途径。
引用
@article{arxiv.1903.08638,
title = {$\pi$-fluxes, semi-metals and flat bands in artificial materials},
author = {Toshikaze Kariyado and Robert-Jan Slager},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.08638},
year = {2019}
}
备注
7 pages