两带超导体V$_{2}$Ga$_{5}$的物理性质与电子结构
超导电性
2024-10-01 v1
摘要
我们对二元金属间化合物V2Ga5的物理性质和超导电性进行了深入研究。电阻率和比热测量表明，V2Ga5在Tsc = 3.5 K以下进入超导态，临界场为Hc2,perp c(Hc2,para c) = 6.5(4.1) kOe。当H垂直于c轴时，在电阻率测量中观察到峰效应，表明所研究单晶的超高品质。高压下的电阻率测量显示，Tsc随压力线性降低，并在约20 GPa时降至绝对零度。比热和μ子自旋弛豫测量均表明，两带s波模型最能描述V2Ga5的超导电性。角分辨光电子能谱测量获得的光谱表明，在Z点和Γ点附近的费米面上打开了两个超导能隙。这些结果通过第一性原理能带结构计算得到验证。因此，我们得出结论：V2Ga5是一种声子介导的两带s波超导体。
引用
@article{arxiv.2405.03499,
title = {Physical properties and electronic structure of the two-gap superconductor V$_{2}$Ga$_{5}$},
author = {P. -Y. Cheng and Mohamed Oudah and T. -L. Hung and C. -E. Hsu and C. -C. Chang and J. -Y. Haung and T. -C. Liu and C. -M. Cheng and M. -N. Ou and W. -T. Chen and L. Z. Deng and C. -C. Lee and Y. -Y. Chen and C. -N. Kuo and C. -S. Lue and Janna Machts and Kenji M. Kojima and Alannah M. Hallas and C. -L. Huang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.03499},
year = {2024}
}
备注
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