微电子45nm SOI CMOS技术中的光子晶体微腔
光学
2015-03-31 v2
摘要
我们展示了在先进的SOI CMOS微电子工艺（IBM 45nm 12SOI）中首次单片集成的线性光子晶体微腔，且无需对工艺进行修改。这些腔体被集成到标准的微电子设计流程中，满足工艺设计规则，并与该工艺原生的晶体管一起制造。由于设计规则的限制，我们使用不同的腔体实现方式展示了1520nm波长和1180nm波长的腔体设计。对于1520nm和1180nm设计，测量到的负载品质因子分别为2,000和4,000，提取到的本征品质因子分别为100,000和60,000。我们还展示了一种倏逝波耦合几何结构，它将腔体和波导耦合设计解耦。
引用
@article{arxiv.1406.5753,
title = {Photonic Crystal Microcavities in a Microelectronics 45nm SOI CMOS Technology},
author = {Christopher V. Poulton and Xiaoge Zeng and Mark T. Wade and Jeffrey M. Shainline and Jason S. Orcutt and Milos A. Popovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.5753},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 6 figures