连续与脉冲电子束下非相干阴极发光的光子统计

非相干阴极发光（CL）光谱中的光子聚束源于以下事实：单个高能电子与材料相互作用时可产生多个光子，从而揭示电子-物质激发的关键特性。与之前基于蒙特卡洛建模的工作相反，本文给出描述连续与脉冲电子束二阶自相关函数（$g^{(2)}(\tau)$）幅度与形状的全解析模型。此外，我们将光子聚束分析扩展到超短电子脉冲，其中每脉冲多达 500 个电子在几皮秒内激发样品。对于脉冲电子束，我们得到一个将聚束强度（$g^{(2)}(0)$）与电子激发效率（$\gamma$）、电子束电流、发射体衰减寿命及脉冲时长相关联的简单方程。该解析模型与使用连续、纳秒脉冲（采用束闸）和超短皮秒脉冲（采用光发射）电子束在 InGaN/GaN 量子阱上获得的实验数据吻合良好。我们提取出 10 和 8 keV 电子束的激发效率分别为 0.13 和 0.05，并观察到即使在量子阱中经超短且稠密电子级联激发后，非线性效应也未起显著作用。