超越非共振条件的硅烯中光诱导赝自旋效应

我们研究了在强电磁太赫兹辐射下，单层硅烯中电荷载流子的光诱导操控。考虑到狄拉克锥近似，并超越仅允许虚光子过程的大频率辐射场非共振条件，我们给出了精确的零动量赝自旋极化，以及准能带结构和时间平均态密度的数值结果。我们发现，由于真实光子的发射和吸收过程引起的共振过程，会导致能带反转，从而定性地改变准能谱。这些能带结构的变化表现为平均赝自旋极化的反转。通过对时间平均态密度的分析，我们发现有效的光诱导能隙操控只能在中间和强物质 - 辐射耦合机制下实现，此时非共振近似失效。