CeZn$_{3}$P$_{3}$ 中的光致 Kondo 效应

Kondo 效应源于自旋-自旋相互作用对局域磁矩的屏蔽，广泛存在于非人工磁性材料、人工量子点和碳纳米管中。在基于量子点或碳纳米管并以量子信息应用为目标的器件中，Kondo 效应可以通过栅压、磁场或光来调控。然而，非人工材料中 Kondo 效应的操控尚未得到深入研究；特别是，Kondo 效应的人工创制仍未被探索。然而，根据本课题的研究，提出了一种在非人工材料 $p$ 型半导体 CeZn$_{3}$P$_{3}$ 中光学创制 Kondo 效应的新途径。通过连续波激光二极管对该材料进行可见光照射，Kondo 效应随之出现，并最终通过光致电阻率得到揭示，该电阻率清楚地表现出对数温度依赖性。相比之下，镧基化合物（LaZn$_{3}$P$_{3}$）在类似照射下仅表现出正常的金属行为。与人工系统中的 Kondo 效应相比，在更高温度下出现的光致 Kondo 效应不仅为量子信息/计算器件提供了潜在的新工作范围，也为磁光器件的运行提供了新范围，从而扩展了基于 Kondo 效应的器件应用范围。