分子晶体管中欠屏蔽 Kondo 效应的观测
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v2 强关联电子
摘要
我们提供了欠屏蔽 Kondo 效应的首个定量实验证据，即传导电子对量子化磁矩的不完全补偿，正如 Nozieres 和 Blandin 最初提出的那样。该器件由一个偶电荷自旋 的分子量子点组成，通过将 C60 分子通过电迁移引入金纳米间隙并在稀释制冷机中运行而获得。通过与在奇电荷自旋 库仑菱形区中获得的完全屏蔽构型进行比较，我们证明了低温电导中存在对数奇异性的持续性。我们还发现了欠屏蔽 Kondo 共振对磁场的极端敏感性，并基于数值重正化群计算对此进行了证实。
关键词
引用
@article{arxiv.0910.1092,
title = {Observation of the underscreened Kondo effect in a molecular transistor},
author = {Nicolas Roch and Serge Florens and Theo A. Costi and Wolfgang Wernsdorfer and Franck Balestro},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.1092},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures, with supplementary information file (3 pages, 3 figures). Minor corrections in V2, as published