ZnO 中的光致塞贝克效应
材料科学
2012-11-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们首次研究了宽禁带氧化物半导体 ZnO 中光生载流子如何贡献于热电输运，即光致塞贝克效应的性质。我们在光照条件下测量了电导率和塞贝克系数。光照显著改变了塞贝克系数以及电导率，且这种变化对照明光的光子能量敏感。通过使用简单的并联电路模型，我们评估了光生载流子对电导率和塞贝克系数的贡献，其关系显示出与掺杂半导体惊人的相似性。我们的结果还表明，光照同时增加了载流子浓度和迁移率，这可与 ZnO 的杂质掺杂情况进行比较。最后讨论了利用光进行热电应用的未来前景。
引用
@article{arxiv.1210.2498,
title = {Photo-Seebeck Effect in ZnO},
author = {Ryuji Okazaki and Ayaka Horikawa and Yukio Yasui and Ichiro Terasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.2498},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 4 figures, to be published in J. Phys. Soc. Jpn