基于 BNA 晶体的宽带太赫兹光谱探测 InSb 中的光生载流子动力学
材料科学
2025-11-27 v1
摘要
我们报告了一项关于低带隙半导体锑化铟 (InSb) 中光生瞬态载流子动力学的光泵浦-太赫兹 (THz) 探测研究。利用有机 N-苄基-2-甲基-4-硝基苯胺 (BNA) 晶体作为宽带太赫兹源，我们获取了在光激发后不同泵浦-探测延迟下超过 5 THz 的全光谱响应。我们使用 Drude-Lorentz 模型，考虑了材料中的激发长度与太赫兹光束在泵浦 InSb 中的穿透深度之间的差异，提取了作为泵浦-探测延迟函数的绝对载流子密度，并提供了在给定载流子密度下不同泵浦通量的扩散长度信息。我们讨论了太赫兹穿透深度与载流子扩散后实际激发样品深度之间的不匹配，因为这两个量随时间和泵浦通量的演变并不直观，两者都依赖于载流子密度。
引用
@article{arxiv.2511.20896,
title = {Photo-induced carrier dynamics in InSb probed with broadband THz spectroscopy based on BNA crystals},
author = {Elodie Iglesis and Alexandr Alekhin and Maximilien Cazayous and Alain Sacuto and Yann Gallais and Sarah Houver},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.20896},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 6 figures, 32 references