磷扩散吸除在升级冶金级太阳能硅中陷阱中心的应用
应用物理
2021-04-21 v4 材料科学
摘要
本文给出了磷扩散吸除（PDG）在减少陷阱中心方面有益作用的实验证据，这是通过对升级冶金级硅（UMG-Si）晶圆进行电感耦合光导（PC）衰减和少子寿命测量观察到的。我们检测到，主导UMG材料PC衰减长时间范围（慢陷阱）的陷阱物种在780摄氏度下进行的PDG后被有效去除。尽管如此，在吸除之后，一种具有更短时间常数的第二陷阱机制仍然控制着极低注入水平下的响应。此外，研究了PDG作为工艺时间函数的有益效果，显示出少子体寿命提升高达18倍，达到70 us的范围。由此，为开发能够成功去除陷阱中心并改善非常规硅材料体寿命的吸除策略铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2101.07145,
title = {Phosphorous Diffusion Gettering of Trapping Centers in Upgraded Metallurgical-Grade Solar Silicon},
author = {Sergio Catalán-Gómez and Nerea Dasilva-Villanueva and David Fuertes Marrón and Carlos del Cañizo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.07145},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 3 figures