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MgB$_{2}$点接触 I-V 特性中的声子结构

超导电性 2009-11-07 v2

摘要

对MgB2_{2}点接触(d2V/dI2(V))谱中超过带隙能量的声子结构进行了搜索.假设两种带模型不仅用于^{2}V/dI^{2}(V))谱中超过带隙能量的声子结构进行了搜索.假设两种带模型不仅用于 dV/dI(V)特性中的带隙结构,也用于特性中的带隙结构,也用于 d^{2}V/dI^{2}(V)$点接触谱中的声子,直至最大晶格振动能.由于电流主要由3D带中的电荷携带,而强电子-声子相互作用发生在2D带中,我们观察到由于k空间中"近邻"效应引起的声子特征,其取决于通过弹性散射的带间耦合的变化.

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0206170,
  title  = {Phonon structure in I-V characteristic of MgB$_{2}$ point-contacts},
  author = {I. K. Yanson and V. V. Fisun and N. L. Bobrov and Yu. G. Naidyuk and W. N. Kang and Eun-Mi Choi and Hyun-Jung Kim and Sung-Ik Lee},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206170},
  year   = {2009}
}

备注

6 pages, 4 figures, revtex4, reported in International Conference "Modern Problems in Superconductivity", 9-13 September, Yalta, Ukraine