铜氧化物和锰氧化物中电子与声子强耦合导致的相分离
超导电性
2009-01-12 v1 强关联电子
摘要
近期先进的蒙特卡洛模拟并未在具有在位排斥电子-电子关联的Hubbard模型中发现超导和相分离。我们认为，铜氧化物超导体和庞磁电阻锰氧化物中的微观相分离源于强电子-声子相互作用与不可避免的无序的共同作用。由几乎无延迟的电子-声子相互作用引起的吸引性电子关联足以克服这些电荷转移型Mott-Hubbard绝缘体中的直接格点间库仑排斥，因此低能物理是小极化子和小双极化子（由声子修饰的实空间电子（空穴）对）的物理。它们在迁移率边以下因无序而局域成团，但在迁移率边以上则以布洛赫态传播。我将与光学声子相关的Froehlich有限程电子-声子相互作用确定为层状铜氧化物超导体中配对和相分离的最关键因素。顺磁相中氧空穴配对形成重双极化子（载流子密度塌缩）也解释了掺杂锰氧化物在铁磁相中因双极化子磁致解离而产生的庞磁电阻。在此，我简要地将铁磁转变附近高、低电阻相共存解释为掺杂锰氧化物中因不可避免的无序而形成的极化子铁磁畴与双极化子顺磁畴的混合。
引用
@article{arxiv.0810.4277,
title = {Phase separation of electrons strongly coupled with phonons in cuprates and manganites},
author = {A. S. Alexandrov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.4277},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 4 figures, invited paper at the International Workshop "Controlling Phase Separation in Electronic Systems - 2008"(30 Sept-4 Oct, 2008, Nafplion, Greece)