分子晶体中自旋交叉模型的相图

自旋交叉在从存储器件到传感器的广泛领域中有应用。这主要与其转变的性质有关，该转变可能是突变的、渐变的或不完全的，并且也可能呈现滞回。这一转变改变了给定样品的若干性质，例如磁矩、颜色和电阻等。然而，对该现象的透彻理解仍然缺乏。在这项工作中，提供了一个简单模型来模拟自旋交叉中已知发生的某些性质。使用平均场方法和穷举蒙特卡洛模拟给出了模型参数的详细研究。在参数空间的某些区域，解析结果与模拟之间发现了良好一致。这种平均场方法在关联与协同性可能不再可被平均的参数区域中失效。