溅射沉积 Si/WSi2 多层膜中应力的周期性变化
材料科学
2015-05-28 v1
摘要
在低 Ar 气压下，于溅射沉积的 Si 上溅射沉积 1 nm WSi2 后，观察到张力增量。发现多层膜的晶圆曲率数据具有与多层膜周期相对应的周期性变化，这使得统计分析能够提高对小应力的灵敏度。在生长初始阶段观察到张力而非压应力是一个新发现，并引入了一个涉及表面重排的模型。这些数据还涉及由 WSi2 溅射沉积引起的溅射 Si 表面异常平滑现象。我们进一步报告，在低 Ar 气压下，Si 层是累积应力的主要来源。
引用
@article{arxiv.1106.2154,
title = {Periodic Variation of Stress in Sputter Deposited Si/WSi2 Multilayers},
author = {Kimberley MacArthur and Bing Shi and Ray Conley and Albert T. Macrander},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.2154},
year = {2015}
}