近邻诱导半导体纳米线中束缚态的宇称寿命
介观与纳米尺度物理
2015-12-07 v1 超导电性
摘要
准粒子激发会损害超导器件的性能，导致高频耗散，约瑟夫森量子比特的退相干，以及基于马约拉纳的拓扑量子计算机中的编织误差。准粒子动力学已在金属超导体中得到详细研究，但在半导体-超导体结构中仍相对未被充分探索，而这类结构目前在拓扑超导领域受到广泛关注。为此，我们引入了一种新的物理系统，由栅控半导体纳米线与外延生长的超导层组成，形成一个孤立的近邻诱导纳米线段。我们通过偏压谱学在半导体中识别出安德里耶夫型束缚态，确定了准粒子激发的特征温度和磁场，并提取出半导体中束缚态的宇称寿命（中毒时间）超过 10 毫秒。
引用
@article{arxiv.1501.05155,
title = {Parity lifetime of bound states in a proximitized semiconductor nanowire},
author = {A. P. Higginbotham and S. M. Albrecht and G. Kirsanskas and W. Chang and F. Kuemmeth and P. Krogstrup and T. S. Jespersen and J. Nygard and K. Flensberg and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.05155},
year = {2015}
}
备注
text and supplementary information combined