多铁性薄膜中氧空位诱导的磁相变
材料科学
2019-06-05 v1
摘要
具有巨大铁电极化与磁性共存的多铁性材料，在信息存储和能量转换的颠覆性应用方面具有巨大潜力。然而，多铁性材料的功能特性被认为会受到点缺陷的不利影响，这些点缺陷可能因某些组成原子的挥发性和材料制备中的高温而大量存在。本文中，我们通过理论方法证明，氧空位可通过从根本上改变薄膜中的磁相互作用来增强多铁性材料的功能。具体而言，氧空位可恢复大轴比相中缺失的磁超交换相互作用，从而导致完全的反铁磁自旋有序，并诱导产生具有显著净磁化强度(每化学式单位0.5 μB)的铁磁态的稳定化。我们的理论研究应有助于澄清铁酸铋中长期存在的争议，并改进基于多铁性材料的技术应用设计。
引用
@article{arxiv.1906.01117,
title = {Oxygen-vacancy induced magnetic phase transitions in multiferroic thin films},
author = {Cesar Menendez and Dewei Chu and Claudio Cazorla},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.01117},
year = {2019}
}
备注
11 pages, 5 figures