金属性GdPd$_3$中由脆弱自旋结构引起的振荡磁电阻
强关联电子
2017-02-28 v2
摘要
数十年来，对磁电阻（MR）现象的研究产生了引人入胜且面向应用的成果——巨磁电阻、超大磁电阻以及最近在半金属中发现的百万百分比量级的极大磁电阻可作为例子。我们在此报道对立方金属间化合物GdPd中振荡MR的研究，该化合物是唯一表现出正负值之间MR振荡的化合物。我们的研究表明，该化合物中磁学、电学和磁输运性质之间存在非常强的关联。GdPd中的磁结构高度脆弱，因为中等强度的外加磁场会显著改变系统内的自旋排列——这种行为体现在振荡MR中。GdPd引人入胜的磁输运特性对场敏器件应用具有吸引力，特别是如果通过化学替代引起的扰动操控磁相互作用，能使MR振荡在更高温度下实现。
引用
@article{arxiv.1611.01672,
title = {Oscillating magnetoresistance due to fragile spin structure in metallic GdPd$_3$},
author = {Abhishek Pandey and Chandan Mazumdar and R. Ranganathan and D. C. Johnston},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.01672},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 7 figures. A slightly modified version is published in Scientific Reports