正交 $ABC$ 半导体作为反铁电体
材料科学
2014-03-11 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们采用第一性原理理性设计方法，识别出一类此前未被认知的反铁电材料，其属于 MgSrSi 结构类型。MgSrSi 结构类型可描述为非极性 ZrBeSi 结构类型的反极性畸变；我们发现该结构类型的许多成员在能量上接近相关的极性 LiGaGe 结构类型，后者包含许多我们预测为铁电体的成员。我们重点指出了已知的 组合，其中这种能量差与 PbZrO 的反铁电 - 铁电切换势垒相当。我们计算了所有三种结构类型的结构参数和相对能量，涵盖了该类中已报道及尚属假设的代表物。我们的结果为适合实际应用的高性能材料的实验实现与进一步研究提供了指导。
引用
@article{arxiv.1210.7116,
title = {Orthorhombic $ABC$ semiconductors as antiferroelectrics},
author = {Joseph W. Bennett and Kevin F. Garrity and Karin M. Rabe and David Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.7116},
year = {2014}
}