应变SiGe薄膜上弹性不稳定性的取向依赖性
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1 材料科学
摘要
在低应变下，硅衬底上的SiGe薄膜经历一种连续的无成核形态演化，称为Asaro-Tiller-Grinfeld不稳定性。我们通过实验证明，这种不稳定性在Si(001)上发展，但在Si(111)上即使经过长时间退火也不会发展。利用这种不稳定性的连续介质描述，我们确定了这种差异的起源。在考虑润湿、弹性和表面能各向异性的情况下对表面扩散进行建模时，我们发现Si(111)上的不稳定性由于不稳定性起始对表面刚度的强烈依赖而延迟。这种延迟是即使在长时间退火后，在实验时间尺度上抑制不稳定性的原因。
引用
@article{arxiv.1011.3726,
title = {Orientation dependence of the elastic instability on strained SiGe films},
author = {J. -N. Aqua and A. Gouyé and T. Auphan and I. Berbezier and T. Frisch and A. Ronda},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.3726},
year = {2015}
}
备注
3 pages, 4 figures