轨道畸变与抛物线通道效应将分子电离概率中的极小值转化为极大值
原子物理
2025-09-15 v3 化学物理
计算物理
摘要
在隧穿 regime 且场强适度较低时，取向依赖的分子电离率曲线的形状通常类似于被电离轨道的形状。随着电离场强的增加，电离率的形状会偏离这一模式。人们常引用的解释是，激发态相对于基态的贡献增加改变了分布。在本文中，我们表明，轨道畸变和抛物线通道效应——这些效应独立于激发态效应——也能显著改变广泛研究的分子中激发态效应可忽略不计的角向收率分布。例如，我们发现在 CHBr 中，轨道畸变与抛物线通道效应的相互作用会在电离场强增加时，将取向依赖的电离率中的一个局部极小值转化为局部极大值。为模拟轨道畸变和抛物线通道效应，我们采用包括一阶修正的单电子弱场渐近理论（OE-WFAT(1)）的积分表示形式。由于当取向角数较大时 OE-WFAT(1) 计算代价高昂，本文还将原始 OE-WFAT(1)算法重新表述为部分波展开形式，大大提高了该方法的效率。
引用
@article{arxiv.2507.04096,
title = {Orbital distortion and parabolic channel effects transform minima in molecular ionization probabilities into maxima},
author = {Imam S. Wahyutama and Denawakage D. Jayasinghe and Francois Mauger and Kenneth Lopata and Kenneth J. Schafer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.04096},
year = {2025}
}