少层Weyl半导体TaIrTe4中的轨道异常霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2024-12-05 v1 材料科学
摘要
我们报告了在非磁性Weyl半导体TaIrTe4中观察到的线性异常霍尔效应（AHE）。通过在TaIrTe4中施加直流电流I_dc和交流电流I_ac（I_ac << I_dc），其中前者引起时反演对称性破缺，后者探测所触发的AHE。异常霍尔电阻V_acH/I_ac显示出随I_dc线性依赖，并随I_dc极性的变化而改变符号。在温度依赖测量中，V_acH/I_ac也在100 K时出现符号反转，与温度依赖的非线性霍尔效应（NLHE）相符。此外，在仅使用直流传输的测量中，直流霍尔电压与I_dc呈二次关系。当I_dc方向反转时，霍尔电阻改变符号，表现出巨大的非互动性霍尔效应（NRHE）。我们的理论计算表明，所观察到的线性AHE、NLHE和NRHE均主要来源于电流诱导的轨道磁化，与较小的自旋贡献无关。这一工作为理解轨道磁电效应和非线性霍尔响应提供了深入见解，为精确的电控出垂直极化轨道流流向提供了前景。
引用
@article{arxiv.2412.02937,
title = {Orbital anomalous Hall effect in the few-layer Weyl semimetal TaIrTe4},
author = {An-Qi Wang and Dong Li and Tong-Yang Zhao and Xing-Yu Liu and Jiantian Zhang and Xin Liao and Qing Yin and Zhen-Cun Pan and Peng Yu and Zhi-Min Liao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.02937},
year = {2024}
}
备注
14 pages