优化多层切片电子叠层成像中的原子序数衬度
材料科学
2025-06-12 v1 原子物理
摘要
这里我们探讨了多层切片电子叠层成像中原子序数（）的依赖性以及优化灵敏度的方法。具体而言，我们表明叠层成像的依赖性高度依赖于所考虑的原子柱的积分区域。当在较小区域上对重建的投影原子势进行积分时，发现依赖性呈单调变化。当增大积分区域时，衬度发生显著变化，变得高度非单调，并遵循轨道壳层结构的趋势。此外，重建的投影势与透射函数的对齐总体偏差仅为2.4%。进一步证明，非单调的依赖性有助于增强某些元素之间的衬度，使得仅相差一个原子序数的元素得以区分，甚至在厚度大于20 nm的样品中也是如此。这在-CuZn（ = 29和30）中得到了验证，针对不同的信号量化方法探讨了元素之间的可区分性。电子剂量和有限有效源尺寸的影响也被考虑在内。这些结果表明，原子柱积分区域可以为特定应用和实验条件优化叠层成像的衬度。
引用
@article{arxiv.2506.09355,
title = {Optimizing Atomic Number Contrast in Multislice Electron Ptychography},
author = {Bridget R. Denzer and Colin Gilgenbach and James M. LeBeau},
journal= {arXiv preprint arXiv:2506.09355},
year = {2025}
}