利用太赫兹脉冲实现无场三态分子最优取向

我们提出一项解析与数值相结合的研究，展示如何设计最优控制场以对三个已布居转动态产生最大无场分子取向。基于涉及转动态之间纯转动阶梯激发的模型，解析导出所施加控制场的一组最优振幅与相位条件。当场在两个跃迁频率上满足振幅与相位条件时，可达到最大取向度。存在多个最优解，为检验这些条件，我们设计了一种使用两个太赫兹脉冲的量子相干控制方案，并成功将其应用于低温下的线性极性分子HCN。分析了转动态的布居与相位对控制场参数（即失谐、带宽与时间延迟）的敏感性，以理解最优取向机制。因此，本工作考察了属于最优脉冲的频域图景。