利用解析设计脉冲最大化腔中三态分子的取向

我们在理论上探索了通过将单分子的最低三个转动态与单模腔强耦合来实现分子极化子的精确控制。我们研究了两种不同的腔共振配置：基频腔（$\omega_c = 2B$，其中 $B$ 为转动常数）与最低两个转态共振，以及二次谐波腔（$\omega_c = 4B$）与第一和第二激发转态耦合。我们基于这两种极化子配置提出了两种控制方案，并推导了相应的脉冲面积定理，以实现 0.7746 的理论最大取向，这与无腔时分子的最大取向相同。在基转态的硫化羰基（OCS）分子中分析了这些控制方案。我们的数值模拟结果验证了理论控制方案，并分析了分子极化子取向度对控制场带宽和相位的敏感性。这项工作为利用解析设计脉冲在腔中实现超冷三态分子的最大无场取向提供了有价值的参考。