二维狄拉克材料中杂质态的光学谷电子学
介观与纳米尺度物理
2021-04-14 v2 光学
摘要
我们以单层 MoS2 为例，分析了二维狄拉克材料中从杂质态到导带的光学跃迁的谷选择定则。我们采用浅杂质势的解析模型来局域化由旋量波函数描述的电子，并首先考虑布里渊区中存在两个谷而求出系统本征态。随后，我们求出吸收谱并计算得到由杂质带跃迁引起的光子拖曳电流，就带隙狄拉克材料中杂质带光学跃迁的谷光学选择定则得出一般性结论。
引用
@article{arxiv.2010.13370,
title = {Optical valleytronics of impurity states in two-dimensional Dirac materials},
author = {Dogyun Ko and A. V. Morozov and V. M. Kovalev and I. G. Savenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.13370},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 4 figures