雾化 CVD 法生长的 α-Ga₂O₃ 的光学性质
应用物理
2020-04-22 v1 材料科学
摘要
我们报告了通过光谱响应测量中观察到激子吸收，对雾化 CVD 法生长的 α 相氧化镓的光学性质研究。使用乙酰丙酮镓作为起始溶液，在 450°C 的衬底温度下，在蓝宝石上生长了 163 nm 的氧化镓。X 射线衍射扫描证实，该薄膜为晶体且为 α 相，轴上全宽半峰值为 92 角秒。从吸收光谱中提取的 Tauc 图显示，在紫外区域存在两个跃迁，分别位于 5.3 eV 和 5.6 eV，对应于激子吸收和直接带间跃迁。从光谱响应测量中提取的激子结合能为 114 meV。此外，我们在该薄膜上制备了具有横向叉指几何结构的金属-半导体-金属光电探测器。在 20 V 偏压下，光谱响应在 230 nm 处观察到陡峭的带边，峰值响应度约为 1 A/W。紫外到可见光的抑制比约为 100，而暗电流测量值约为 0.1 nA。
引用
@article{arxiv.1907.13072,
title = {Optical properties of mist CVD grown $\alpha$-Ga$_2$O$_3$},
author = {Usman Ul Muazzam and Prasad chavan and Srinivasan Raghavan and R. Muralidharan and Digbijoy N Nath},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.13072},
year = {2020}
}