恒定拓扑荷密度畴的光学表现
高能物理 - 唯象学
2019-09-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
有限拓扑荷密度的畴可存在于手性材料和手性物质中。由 -场表示的平均拓扑荷密度的时空变化会诱导反常流,这些反常流是手性磁效应、反常霍尔效应及其他与手性反常密切相关的现象的成因。我们考虑具有恒定平均拓扑荷密度的畴。我们论证,尽管体介质中的麦克斯韦方程未改变,手性反常却通过边界条件的方式显现出来。我们通过几个例子加以说明。第一个例子涉及平面电磁波在恒定 畴表面上的折射。我们推导出修正的菲涅耳方程,并讨论手性反常对反射波和透射波的振幅与偏振的影响。特别地,我们论证布儒斯特角对 值敏感。在第二个例子中,我们计算高频下的渡越辐射谱,并表明在有限 时该谱得到增强。
引用
@article{arxiv.1906.04602,
title = {Optical manifestations of domains with constant topological charge density},
author = {Evan Stewart and Kirill Tuchin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.04602},
year = {2019}
}
备注
13 pages, 4 figures