用于Transmon量子比特的Dolan–Niemeyer-Bridge结的光学直写

我们表征了采用直写光刻系统制备的高相干transmon量子比特。多层蒸发与氧化使我们能够通过减小有效隧穿面积并增加势垒厚度来改变临界电流密度。在涂胶前和蒸发前进行的表面处理得到了高相干器件。通过优化的表面处理，对于约瑟夫森结光刻面积为 2 $\mu\mathrm{m}^2$ 的三维transmon量子比特，我们实现了超过 $80\ \mu$s 的能量弛豫 $T_1$ 时间。