用于原位结制备的新型电子束光刻技术：可控底切
介观与纳米尺度物理
2011-09-12 v2
摘要
我们提出了一种用于制备结和电容器的新型阴影蒸发技术。通过电子束光刻在双层抗蚀剂上设计强不对称底切，无需使用众所周知的悬浮桥[1]即可原位制备结和电容器。无桥结构增加了抗蚀剂掩模的机械鲁棒性以及结尺寸的可达范围，从0.01到超过10000平方微米。我们使用100 kV电子束写入器制备了Al/AlOx/Al约瑟夫森结、相位量子比特和电容器。尽管这种高电压能够精确控制底切，但也讨论了使用传统20 kV电子束的实现方案。从光谱共振宽度、Rabi和Ramsey振荡衰减以及能量弛豫测量中提取的相位量子比特相干时间长于我们之前采用标准技术制备的样品。这些结果证明了通过这种可控底切技术获得的结的高质量。
引用
@article{arxiv.1101.4576,
title = {Novel E-beam lithography technique for in-situ junction fabrication: the controlled undercut},
author = {Florent Lecocq and Cécile Naud and Ioan M. Pop and Zhi-Hui Peng and Iulian Matei and Thierry Crozes and Thierry Fournier and Wiebke Guichard and Olivier Buisson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1101.4576},
year = {2011}
}
备注
Submitted to Nanotechnology