二维亚单层生长中阿伦尼乌斯图像的适用性

对于表面介导过程，如表面合成、外延生长和异相催化，相应关注速率关于逆温度的阿伦尼乌斯图（即 $\log R$ 对 $1/k_B T$）中的恒定斜率，传统上被解释为存在瓶颈基元反应（或速率决定步骤），其中该恒定斜率（或表观活化能 $E_{app}^{R}$）反映了该反应的能垒值。在此，我们表明，即使控制从一个基元反应转移到另一个基元反应，也可以获得恒定的 $E_{app}^{R}$ 值。事实上，我们表明 $E_{app}^{R}$ 是一个加权平均，主导基元反应将随温度变化，而每个基元反应的实际能量贡献除传统能垒外，还将包含一个与该反应可执行的局域构型数目直接相关的构型项。为此，我们考虑在恒定沉积通量下二维亚单层生长的动力学蒙特卡洛模拟，其中关注速率为示踪扩散率。特别地，我们侧重于通过包含大量单原子、多原子和完整岛扩散事件，研究两种特定金属异质外延体系（即 Cu 在 Ni(111) 上和 Ni 在 Cu(111) 上）随覆盖度和变化的形貌、岛密度和扩散率。