多铁性材料磁化理论：铁磁与反铁磁畴的竞争

多铁性材料的许多技术应用基于其在微小外场作用下重构畴结构的能力。本文分析了同时在不同磁性离子体系上表现出铁磁和反铁磁有序的多铁性材料中畴结构行为的多种情景。我们考虑了通过适当的场处理来控制样品畴结构组成和宏观性质的方法。我们发现，畴结构对外磁场的敏感性以及低场区域的磁化率主要由去应力效应（具有磁弹性起源）决定。在Sr$_{2}$Cu$_{3}$O$_{4}$Cl$_{2}$晶体的特定情况下，我们预测了在$T\approx 100$ K时弹性和磁弹性特性的奇异性。