基于穿孔磁膜构建三进制存储单元的可能性
材料科学
2023-10-18 v1
摘要
本研究考察了具有“易面”型强单轴各向异性的铁磁薄膜，并论证此类薄膜中的成对纳米尺度穿孔可用作以三进制数系记录和存储数据的存储单元。研究了此类单元状态读取的问题，并提出了一种解决方法，即测量系统对皮秒外磁场脉冲的响应。获得了该响应幅度最大的系统参数，并利用解析与数值方法对该值进行了估算。
引用
@article{arxiv.2310.10751,
title = {On the Possibility of Creating Trinary Memory Cells Based on Perforated Magnetic Films},
author = {Eugene Magadeev and Robert Vakhitov and Raushan Kanbekov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2310.10751},
year = {2023}
}
备注
9 pages, 4 figures, in Russian