关于 Af/FM 双层结构界面能随场的依赖性
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在对抗磁性 (AF)/磁性 (FM) 双层样品的研究中，常有不同的实验技术给出不同的测量交换各向异性场 (HE) 值。我们提出，观察到的差异可能部分归因于单向各向异性随外部施加场 (h) 值而变化。我们使用一种简单的数值模型来表示 AF/FM 界面，该模型包含界面粗糙度的效应，我们展示了 AF 与 FM 层之间的界面能确实随 h 变化，最近在各向异性磁阻测量中观察到这一现象，进而支持了我们的提议。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0309535,
title = {On the Field Dependence of the Interface Energy in Af/FM Bilayers},
author = {J. R. L. de Almeida and J. R. Steiner and S. M. Rezende},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0309535},
year = {2007}
}
备注
12 pages, 9 figures, submitted to Journ.Mag.Mag.Mater