界面能的场依赖性质：AF/FM 双层结构
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
在抗磁性(AF)/磁性(FM) 双层样品的研究中，常常有不同的实验技术得出不同的交换各向异性场 (HE) 值。使用一种简单微观模型表示 AF/FM 界面，并包含界面粗糙的效应，我们提出观察到的差异可能归因于界面能随外部施加场 (H) 值而变化，最近的各向异性磁阻测量结果支持了我们的假设。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308346,
title = {Field Dependence of the Interface Energy in Af/FM Bilayers},
author = {J. R. L. de Almeida and J. R. Steiner and S. M. Rezende},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308346},
year = {2009}
}
备注
2 pages, 3 figures, accepted for Journal of Applied Physics