三维高自旋黑洞的标量传播子

我们通过研究高自旋黑洞背景下的标量涨落，探索三维高自旋全息术的一些方面。我们仅利用与 $hs[\lambda]$ 代数作为 $sl(2)$ 泛包络代数的商构造相关的著名无限维矩阵表示，提供了体-边界传播子的独立推导，从而避免了先前文献中需要从某个整数到 $\lambda$ 进行解析延拓的必要性。针对具有自旋3和自旋4电荷的 $hs[\lambda]\times hs[\lambda]$ 陈-西蒙斯理论中的黑洞解，推导了传播子和边界两点函数，直至势的二阶。我们将它们与假定的对偶共形场论（具有 $\mathcal{W}_\infty [\lambda]$ 对称性且被高自旋流形变）的三点和四点环面关联函数相匹配。