单根硅纳米线中的片上复用多重纠缠源
量子物理
2017-06-14 v3 光学
摘要
硅基片上（SOI）光子电路因其低损耗、小尺寸、与 CMOS 兼容以及与电信通信技术兼容，是可扩展量子信息技术最有前景的平台。多重复用纠缠源包括：基于 1 厘米长单根硅纳米线的能量 - 时间、时间-bin 和偏振纠缠源，所有这些源都与 (100GHz) 密集波分复用（DWDM）系统兼容。采用了双光子干涉图样、Bell 不等式和量子态层析成像等不同方法来表征这些纠缠源的质量。在超过 5 个信道对上产生了多重纠缠，其原始（净）可见度高达 97%（100%）。这些纠缠源的发射光谱亮度达到 4.2*10^5 /(s.nm.mW)。比较了在连续泵浦和脉冲泵浦机制下产生的光子对的质量。这些高质量的多重纠缠源使其在未来小型化量子通信和计算系统中极具应用前景。
引用
@article{arxiv.1612.02915,
title = {On-chip multiplexed multiple entanglement sources in a single silicon nanowire},
author = {Yin-Hai Li and Zhi-Yuan Zhou and Shi-long Liu and Shi-Kai Liu and Lan-Tian Feng and Kai Wang and Xi-Feng Ren and Dong-Sheng Ding and Li-Xin Xu and Bao-Sen Shi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.02915},
year = {2017}
}
备注
Accepted by Physical Review Applied