π介子广义部分子分布与形状因子中的离壳性

我们研究了π介子广义部分子分布中的离壳性效应。一般而言，由于交叉对称性的缺失，这些分布比在壳情形具有更丰富的结构。特别地，它们的矩包含关于倾斜参数呈奇函数的附加项，这些项与新的形状因子相关联。我们提出了离壳电荷形状因子、引力形状因子以及π介子形状因子之间的关系，并基于Ward-Takahashi恒等式讨论了它们的推导。我们借助为嵌入矢量介子主导而构建的π介子谱夸克模型，在（主导-$N_c$）单夸克圈层次上说明了这些特征。由此得到了形状因子与分布的简单解析表达式。这样获得的离壳广义部分子分布通过LO DGLAP方程从夸克模型尺度演化到更高尺度。我们计算了相应的康普顿振幅，这些振幅进入π介子在质子上的电产生（Sullivan过程）截面。在我们的模型中发现，广义部分子分布中的离壳性效应是显著的，然而它们可被π介子传播子的相应离壳修正在很大程度上抵消。特别地，进入深度虚康普顿散射振幅的康普顿形状因子即是如此。因此，我们预期在诸如Sullivan过程的电产生反应中离壳性效应很小。