观察液晶中缺陷-反缺陷关联产生
高能物理 - 唯象学
2009-10-31 v2 凝聚态物理
高能物理 - 理论
摘要
我们观察到在薄层中性液晶的各向异性-各向同性相变中形成的强度为1的缺陷和反缺陷，使用交叉偏振 setup。我们测量小区域中净缠绕数分布的宽度，并确定描述缺陷与反缺陷之间相关性的指数为0.26±0.11，与Kibble机制在缺陷产生中预测的1/4值非常吻合。我们还描述了一种新颖的技术，用于确定观察缺陷网络时的导向分布。
引用
@article{arxiv.hep-ph/9805502,
title = {Observing Correlated Production of Defects-Antidefects in Liquid Crystals},
author = {Sanatan Digal and Rajarshi Ray and Ajit M. Srivastava},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/9805502},
year = {2009}
}
备注
RevTex file, 7 pages + 4 figures, significantly revised version involving new data and new analysis. Exponent characterizing defect-antidefect correlations determined