氮化硅集成波导中受激布里渊散射的观测
光学
2020-01-08 v1 应用物理
摘要
氮化硅（Si3N4）已成为集成非线性光子学的一种有前景的材料，并已被用于宽带孤子微梳和低脉冲能量超连续谱生成。因此理解 Si3N4 的所有非线性光学特性十分重要。迄今为止，仅有受激布里渊散射（SBS）尚未被报道。在此我们首次观测到全包覆 Si3N4 波导中的后向 SBS。布里渊增益谱展现出不寻常的多峰结构，源于与二氧化硅包覆层的高次泛音体声波共振（HBARs）的杂化。所报道的 25 GHz 处本征 Si3N4 布里渊增益估计为 7x10^-13 m/W。此外，Si3N4 光弹常数大小估计为 |p12| = 0.047 +/- 0.004。由于 SBS 对波导施加了光功率限制，我们的结果解释了 Si3N4 处理高光功率的能力，这对集成非线性光子学至关重要。
引用
@article{arxiv.1908.09815,
title = {Observation of stimulated Brillouin scattering in silicon nitride integrated waveguides},
author = {Flavien Gyger and Junqiu Liu and Fan Yang and Jijun He and Arslan S. Raja and Rui Ning Wang and Sunil A. Bhave and Tobias J. Kippenberg and Luc Thévenaz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.09815},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 3 figures