通过硅上混合集成实现紧凑布里渊器件
光学
2017-02-20 v1
摘要
利用受激布里渊散射已在光学和微波信号处理中展示了一系列独特能力。在可大规模制造的集成电路中利用布里渊散射的愿望，导致了对硅基材料平台的关注。硅基布里渊波导已取得显著进展，但结果受到电信波长处存在的非线性损耗的阻碍。在此，我们报告了一种通过在高布里渊增益材料 As2S3 集成到硅芯片上来克服此问题的新方法。我们在硅电路中制造了紧凑螺旋器件，实现了布里渊放大一个数量级的改进。为确立该方法的灵活性，我们制造了自由光谱范围精确匹配布里渊频移的环形谐振器，从而首次在硅集成电路中演示了布里渊激光。将主动光子组件与此处所示的 SBS 器件结合，将能够实现具有增强功能的紧凑、可大规模制造的光学电路。
引用
@article{arxiv.1702.05233,
title = {Compact Brillouin devices through hybrid integration on Silicon},
author = {B. Morrison and A. Casas-Bedoya and G. Ren and K. Vu and Y. Liu and A. Zarifi and T. G. Nguyen and D-Y. Choi and D. Marpaung and S. Madden and A. Mitchell and B. J. Eggleton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.05233},
year = {2017}
}